[发明专利]偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件无效
| 申请号： | 02140273.6 | 申请日： | 2002-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1466252A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 邱伟彬;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件，该器件包括：一n型重掺杂的磷化铟衬垫；一n型掺杂的磷化铟缓冲层，该n型掺杂的磷化铟缓冲层制作在n型重掺杂的磷化铟衬垫上；一不掺杂下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一不掺杂有源层，该有源层制作在下限制层上；一不掺杂上限制层，该上限制层制作在有源层上；一p型掺杂的磷化铟盖层，该磷化铟盖层制作在上限制层上；一p型重掺杂的铟镓砷接触层，该接触层制作在磷化铟盖层上；一二氧化硅/二氧化钛多层增透膜，该增透膜制作在接触层上，该增透膜为正电极；一负电极，该负电极制作在衬垫的下方；在以上结构的两侧制作有增透膜。 | ||
| 搜索关键词： | 偏振 不灵敏 半导体 放大器 吸收 调制器 两用 器件 | ||
【主权项】：
1、一种偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件的制作方法，其特征在于，该器件包括：一n型重掺杂的磷化铟衬垫；一n型掺杂的磷化铟缓冲层，该n型掺杂的磷化铟缓冲层制作在n型重掺杂的磷化铟衬垫上；一不掺杂下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一不掺杂有源层，该有源层制作在下限制层上；一不掺杂上限制层，该上限制层制作在有源层上；一p型掺杂的磷化铟盖层，该磷化铟盖层制作在上限制层上；一p型重掺杂的铟镓砷接触层，该接触层制作在磷化铟盖层上；一二氧化硅/二氧化钛多层增透膜，该增透膜制作在接触层7上，该增透膜为正电极；一负电极，该负电极制作在衬垫的下方；在以上结构的两侧制作有增透膜。
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