[发明专利]改善多孔性低介电薄膜吸水性的方法有效
| 申请号： | 02140318.X | 申请日： | 2002-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1395297A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 胡榮治;陳力俊 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种改善在内连接线结构中多孔性低介电薄膜吸水性的方法，该方法包括提供具有导体区的一底材，一蚀刻终止层在底材上；接着，一多孔性低介电材料薄膜如，多孔性氢化硅倍半氧烷(HSQ)(poroushydrosilsesquioxane)或是多孔性甲基硅倍半氧烷(MSQ)(methylsilsesquioxane)以旋涂的方式涂布在蚀刻终止层上；在经过等离子体步骤或是化学机械研磨制程之后，多孔性低介电薄膜具有多个具有吸水特性的悬键(danglingbond)。接着，将整个试片置放在具有疏水性反应溶液的辅助仪器进行反应，使得在多孔性低介电薄膜的表面以及侧壁上形成疏水性保护膜以改善多孔性低介电薄膜的吸水性以及降低在后续制程中漏电流的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 多孔 性低介电 薄膜 吸水性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善介电薄膜吸水性的方法，其特征在于，该方法至少包含：提供具有一介层洞的一介电薄膜并位于半导体底材上，其中该介电薄膜具有数个悬键且该悬键的特性为疏水性；以及利用一硅氧烷溶液及超声波振荡器处理该介电薄膜，使得该介电薄膜的特性由亲水性改变为疏水性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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