[发明专利]分离栅极式快闪存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种分离栅极式快闪存储器，包括：一基底、一隧穿介电层、一浮置栅极、一栅极间介电层以及一控制栅极。其中，隧穿介电层设置于具有一源/漏极区的基底上。浮置栅极设置于隧穿介电层上，且浮置栅极的底角为锐角。栅极间介电层设置于浮置栅极上。控制栅极设置于栅极间介电层上。再者，此存储器还包括：设置于控制栅极上的上盖绝缘层、设置于控制栅极及浮置栅极侧壁的介电间隔部、相邻于介电间隔部且与该源/漏极区连接的插塞以及设置于基底、上盖绝缘层及插塞上方的选择栅极，且分别与基底及插塞绝缘。

主权项

1.一种分离栅极式快闪存储器，其特征在于，包括：一基底，该基底中具有一源/漏极区；一隧穿介电层，设置于该基底上；一浮置栅极，设置于该隧穿介电层上，该浮置栅极的底角为锐角；一栅极间介电层，设置于该浮置栅极上；以及一控制栅极，设置于该栅极间介电层上。