[发明专利]罩幕式只读存储器的制造方法有效
| 申请号： | 02140373.2 | 申请日： | 2002-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1466195A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 潘仁泉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法首先在一基底中形成一埋入式位线，并且在基底上形成一厚氧化硅层。接着以垂直于埋入式位线的方向，于厚氧化硅层上形成一条状氮化硅层。然后，移除部分厚氧化硅层以暴露出基底，并且在暴露的基底表面形成一栅氧化层。紧接着，在基底上形成一多晶硅层，并且回蚀刻多晶硅层直到条状氮化硅层暴露出来，以形成数个编码存储单元。其中具有栅氧化层的编码存储单元为一逻辑状态“1”，而具有厚氧化硅层的编码存储单元为一逻辑状态“0”。最后，再将条状氮化硅层移除。 | ||
| 搜索关键词： | 罩幕式 只读存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：包括：在一基底中形成一埋入式位线；在该基底上形成一第一介电层；以垂直于该埋入式位线的方向，于该第一介电层上形成一条状第二介电层；移除部分该第一介电层，以暴露出该基底；在暴露的该基底表面上形成一栅氧化层；在该基底上形成一导电层，覆盖该条状第二介电层；移除部分该导电层直到该条状第二介电层暴露出来，以形成复数个编码存储单元，其中具有该栅氧化层的该些编码存储单元为一逻辑状态”1”，而具有该第一介电层的该些编码存储单元为一逻辑状态”0”；移除该条状第二介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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