[发明专利]一种引导用只读存储器的写保护实现方法无效
| 申请号： | 02140483.6 | 申请日： | 2002-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1469382A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 秦海林;藤强院 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/24 | 分类号： | G11C7/24;G11C16/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057广东省深圳市科*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种引导用只读存储器的写保护逻辑实现方法，属于半导体存储器芯片的应用技术领域。本方法首先设置写保护数据寄存器和写保护状态寄存器，复位时将其各置一个初始值，写保护状态寄存器处于“写保护使能”状态，连续向数据寄存器写入数据，写保护状态寄存器为“写保护禁止”状态，对引导用只读存储器的片选信号进行译码，使得引导用只读存储器的片选信号有效，此时对引导用只读存储器进行写操作，写操作结束后，向写保护数据寄存器写入一个数据，使写保护状态寄存器处于重新处于“写保护使能”状态。本发明的方法，可以通过更改逻辑，实现引导用只读存储器的写保护功能，降低引导用只读存储器被擦除或被改写的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引导 只读存储器 写保护 实现 方法 | ||
【主权项】：
1、一种引导用只读存储器的写保护逻辑实现方法，其特征在于该方法包括以下步骤：(1)设置写保护数据寄存器和写保护状态寄存器，并分别为两个寄存器分配地址；(2)为上述两个寄存器各置一个初始值，将引导用只读存储器设置为“写保护使能”状态；(3)连续向写保护数据寄存器写入数据，每写入一个数据，写保护状态寄存器的值发生一次变化，直到该值为一个设定值，此时将引导用只读存储器设置为“写保护禁止”状态；(4)对引导用只读存储器的片选信号进行译码，使得引导用只读存储器的片选信号有效，此时对引导用只读存储器进行写操作；(5)写操作结束后，向写保护数据寄存器写入数据，使引导用只读存储器重新处于“写保护使能”状态。
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