[发明专利]静电放电保护装置有效
申请号: | 02140503.4 | 申请日: | 2002-07-05 |
公开(公告)号: | CN1466209A | 公开(公告)日: | 2004-01-07 |
发明(设计)人: | 刘孟煌;赖纯祥;苏醒;卢道政 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 楼仙英;陈红 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种静电放电保护装置,设置于耦接于第一电位的接合垫以及存储装置、第二电位之间,包括多个掺杂区及一隔离组件。第一第二型掺杂区系形成于第一型基底,并耦接于第一电位。第二第二型掺杂区系形成于第一型基底,并耦接于第二电位。第三第二型掺杂区系形成于第一型基底。第二型井区系形成于第一第二型掺杂区及第三第二型掺杂区之间。而隔离组件系设置于第二第二型掺杂区及第三第二型掺杂区之间。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】:
1.一种静电放电保护装置,设置于耦接于第一电位的接合垫以及存储装置、第二电位之间,其特征在于,包括:一第一型基底;一第一第二型掺杂区,形成于上述第一型基底,并耦接于上述第一电位;一第二第二型掺杂区,形成于上述第一型基底,并耦接于上述第二电位;一第三第二型掺杂区,形成于上述第一型基底;一第二型井区,形成于上述第一第二型掺杂区及第三第二型掺杂区之间;以及一隔离组件,设置于上述第二第二型掺杂区及第三第二型掺杂区之间。
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