[发明专利]罩幕式只读存储器的制造方法

摘要

本发明涉及一种罩幕式只读存储器的制造方法。首先，形成一第一绝缘层于一具有多平行位线的基底。接着，形成多平行沟槽于上述第一绝缘层中，用以定义多字元线。依序形成一栅极氧化层、一多晶硅层于上述多平行沟槽底部，用以形成多平行字符线。然后，全面性形成一第二绝缘层。接着，利用一多条状光阻，蚀刻上述第二绝缘层，以形成多信道区于上述字符线上的相邻两位线之间。最后，利用一孔洞图案光罩在选择的信道区进行编码。

主权项

1.一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供一具有多平行位的基底；形成一第一绝缘层于上述基底表面；图案化上述第一绝缘层，以形成多平行沟槽于上述第一绝缘层中，用以定义多字元线，其中上述多字元线大体上垂直于上述多平行位线；依序形成一栅极氧化层、一栅极层于上述多平行沟槽底部，用以形成多平行字符线，其中上述字符线的表面高度低于上述第一绝缘层的表面高度；全面性形成一第二绝缘层；图案化上述第二绝缘层，直到露出部分上述栅极层表面，以形成多信道区于上述字符线上的相邻两位线之间；以及选择至少一上述信道区实施一离子布植程序，以完成编码。