[发明专利]多位存储单元及其制造方法

摘要

本发明涉及一种多位存储单元，包括：一半导体基底；一突状基底，形成于半导体基底上；一离子植入区，位于突状基底的顶部两侧；一间隙壁，形成于突状基底的侧壁；一掺入离子区，位于半导体基底，且掺入离子区露出于半导体基底表面；及一氧－氮－氧化物层，顺应性形成于突状基底、间隙壁、露出表面的掺入离子区及半导体基底的表面上。

主权项

1.一种多位存储单元的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底上形成有一半导体基底及一硬罩幕层；以该硬罩幕层为罩幕，对该半导体基底进行离子植入以形成一离子植入区；于该硬罩幕侧壁形成一第一间隙壁；以该硬罩幕及该第一间隙壁为罩幕，非等向性蚀刻该半导体基底以露出该半导体基底表面；于该半导体基底及该第一间隙壁的侧壁形成一第二间隙壁；以该硬罩幕及该第二间隙壁为罩幕非等向性蚀刻该半导体基底以形成一开口，并去除该第二间隙壁；于该半导体基底上形成一离子掺入层，非等向性蚀刻该掺入离子层以在该半导体基底侧壁形成一第三间隙壁，且该掺入离子层会填满该开口；及去除该硬罩幕层及该第一间隙壁后，于该半导体基底上顺应性形成一氧-氮-氧化物层。