[发明专利]介电体陶瓷材料有效
| 申请号： | 02140717.7 | 申请日： | 2002-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1398821A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 本田稔贵;松宫正彦;土佐晃文 | 申请（专利权）人： | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;H01B3/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 丁香兰,丁业平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供新的介电体陶瓷材料，其显示出介电损失和共振频率温度系数小的介电特性，可以在更低的烧结温度下获得。在(100－a)[Bau{(ZnvCo1－v)wNbx}Oδ1]－a[MyTazOδ2](式中M为Li、Na、K中至少一种)的情况下，按满足0.5≤a≤25、0.98≤u≤1.03、0≤v≤1、0.274≤w≤0.374、0.646≤x≤0.696、0.5≤y≤2.5、0.8≤z≤1.2的金属摩尔比称量各原料粉末，在第一次粉碎后，在1100～1300℃焙烧，然后对经湿式的二次粉碎得到的膏状物进行干燥，制成颗粒后，在大气的气氛下，在1400～1600℃将成形的成形体烧结得到介电体陶瓷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 介电体 陶瓷材料 | ||
【主权项】：
1.一种介电体陶瓷材料，其含有Ba、Nb和Ta；Zn和Co中的至少一种；以及K、Na、Li中的至少一种，该介电体陶瓷材料的特征是上述各元素的组成式表示为：(100-a)[Bau{(ZnvCo1-v)wNbx}Oδ1]-a[MyTazOδ2]的情况下，式中M为Li、Na、K中的至少一种，满足0.5≤a≤25、0.98≤u≤1.03、0≤v≤1、0.274≤w≤0.374、0.646≤x≤0.696、0.5≤y≤2.5、0.8≤z≤1.2。
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