[发明专利]一种无突出物形成的双镶嵌制程的湿式清洗方法

摘要

一种无突出物形成的双镶嵌制程的湿式清洗方法，特指一种两阶段湿式清洗方法，结合一突起物抑制手段，改良的两阶段湿式铜制程清洗方法，包含有几个主要步骤(1)氧化步骤；(2)铜氧化物蚀刻步骤及(3)突起物抑制手段。利用突起物抑制手段来抑制解离的铜离子经由还原反应累积在第一铜金属导线表面，有效防止铜突起物的发生，又能够干净清洗蚀刻后的双镶嵌结构，具有提高产品的可靠度的功效。

主权项

1、一种无突出物形成的双镶嵌制程的湿式清洗方法，其特征是：它依次包含有下列步骤：(1)提供一半导体芯片，其包含有一硅基底以及一蚀刻后双镶嵌结构，该蚀刻后双镶嵌结构包含有一接触窗构造及一沟渠构造形成于该接触窗构造之上，其中该接触窗构造暴露出一部份面积的第一层铜金属导线，且该第一层铜金属导线与一形成于该硅基底的N+掺杂区域电连接；(2)利用一稀释过氧化氢溶液清洗该半导体芯片，以轻微氧化该暴露出来的该第一层铜金属表面；(3)利用一铜氧化物清洗溶剂洗去形成于该第一层铜金属导线表面上的铜氧化物，其中该铜氧化物清洗溶剂包含有HF、NH4F或NH2OH；(4)提供一突起物抑制手段，以抑制发生在该第一层铜金属导线表面上的铜还原反应。