[发明专利]增进晶圆清洗效率与改善工艺合格率的方法有效
| 申请号： | 02140774.6 | 申请日： | 2002-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1471140A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 马思尊;张国华 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种增进晶圆清洗效率与改善工艺合格率的方法，其中增进晶圆清洗效率的方法是首先在一测试晶圆上沉积数种工艺颗粒。接着进行一清洗工艺，以清洗此测试晶圆。之后，扫描此测试晶圆，以确认此测试晶圆上哪些工艺颗粒已被完全移除，而哪些工艺颗粒保留下来。继之，通过扫描测试晶圆的一结果，以评估此清洗工艺的一清洗能力。然后，再修正此清洗工艺的参数，以增进清洗工艺的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 增进 清洗 效率 改善 工艺 合格率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增进晶圆清洗效率的方法，其特征是，包括：在一测试晶圆上沉积多种工艺颗粒；进行一清洗工艺，以清洗该测试晶圆；扫描该测试晶圆，以确认哪些该些工艺颗粒已被完全移除，而哪些该些工艺颗粒保留下来；通过扫描在该测试晶圆上留下的该些工艺颗粒，以评估该清洗工艺的一清洗效率；以及修正该清洗工艺的参数，以增进该清洗工艺的效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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