[发明专利]形成接触窗的方法有效
| 申请号： | 02140776.2 | 申请日： | 2002-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1471152A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 游正达 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成接触窗的方法，首先在一基底上形成一介电层，并且在介电层上形成一图案化的光阻层。接着以光阻层为一蚀刻罩幕移除介电层的部分厚度，而形成一第一开口。之后在光阻层的表面上形成一第一衬层，并且以第一衬层为一蚀刻罩幕移除第一开口底下的介电层的部分厚度，而形成一第二开口，其范围涵盖第一开口。接着，在光阻层上形成一第二衬层覆盖第一衬层，并且以第二衬层为一蚀刻罩幕移除第二开口底下的介电层，而形成第三开口以暴露出基底，且范围涵盖第二开口。在将第二衬层、第一衬层与光阻层移除之后，在第三开口中填入一导电层，以形成一接触窗。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成接触窗的方法，其特征在于：包括：在一基底上形成一介电层；在该介电层上形成一图案化的光阻层；利用该光阻层为一蚀刻罩幕移除该介电层的部分厚度，以形成一第一开口；在该光阻层的表面上形成一第一衬层；利用该第一衬层与该光阻层为一蚀刻罩幕以移除该第一开口底下的该介电层的部分厚度，以形成一第二开口，该第二开口的范围涵盖该第一开口；在该光阻层上形成一第二衬层，覆盖该第一衬层；利用该第二衬层与该光阻层为一蚀刻罩幕以移除该第二开口底下的该介电层，以形成一第三开口，暴露出该基底，该第三开口的范围涵盖该第二开口；移除该第二衬层、该第一衬层与该光阻层；在该第三开口中填入一导电层，以形成一接触窗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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