[发明专利]激光修复过程有效
| 申请号： | 02140909.9 | 申请日： | 2002-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1402304A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘洪民 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种激光修复过程是提供一具有多个芯片的晶片，每一芯片上配置有多个焊垫、多个测试焊垫、多个保险丝，以及一用以保护芯片并露出焊垫和测试焊垫的保护层，接着进行一凸块过程以于每一焊垫上依序形成球底金属层和凸块，而于每一测试焊垫上只形成球底金属层不形成凸块，而凸块的形成例如是以电镀或是印刷的方式。然后在测试焊垫上方的球底金属层表面进行一测试步骤，最后再进行一激光修复步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 修复 过程 | ||
【主权项】：
1.一种激光修复的过程，至少包括：提供一晶片，该晶片上具有多个芯片，每一所述芯片上配置有多个焊垫、多个测试焊垫、多个保险丝，和一用以保护这些芯片并露出这些焊垫和这些测试焊垫的保护层；进行一凸块过程以在这些焊垫的每一个上依序形成一第一球底金属层和一凸块，而在这些测试焊垫的每一个上形成一第二球底金属层；在这些第二球底金属层表面上进行一测试步骤；和进行一激光修复步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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