[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

采用对在单元区域和外围区域的半导体衬底上边形成的栅极氧化膜、第1栅极材料和第1绝缘膜进行刻蚀的办法，在单元和外围区域上形成由第1绝缘膜、第1栅极材料和栅极氧化膜构成的多个栅极构造。在外围区域的栅极构造的侧面上边形成第2绝缘膜。采用以第1、第2绝缘膜为掩模对半导体衬底进行刻蚀的办法，在单元和外围区域的半导体衬底表面上形成多个槽。采用除去在外围区域上形成的栅极构造的侧面上边的第2绝缘膜的办法，使栅极构造附近的半导体衬底表面在槽的两侧露出来。在单元区域的槽内，和在外围区域的槽内，形成元件隔离绝缘膜，使其在栅极构造附近的半导体衬底表面上延伸。除去在外围区域上形成的栅极构造。在外围区域的元件隔离绝缘膜间形成外围晶体管的栅极构造。

主权项

1.一种具有形成单元晶体管的单元区域和形成外围电路的外围晶体管的外围区域的半导体存储器件的制造方法，具备：在上述单元区域和上述外围区域的半导体衬底上边，依次形成栅极氧化膜、第1栅极材料和第1绝缘膜，采用对上述第1绝缘膜、上述第1栅极材料和上述栅极氧化膜的一部分进行刻蚀的办法，在上述单元区域和上述外围区域上形成由上述第1绝缘膜、上述第1栅极材料和上述栅极氧化膜构成的多个栅极构造，在上述外围区域上形成的上述栅极构造的侧面上边形成第2绝缘膜，采用以上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜为掩模对上述半导体衬底进行刻蚀的办法，在上述单元区域和上述外围区域的上述半导体衬底表面上形成多个槽，采用除去在上述外围区域上形成的上述栅极构造的侧面上边的上述第2绝缘膜的办法，使上述栅极构造附近的上述半导体衬底表面在上述槽的两侧露出来，在上述单元区域的上述槽内，和在上述外围区域的上述槽内，形成元件隔离绝缘膜，使得上述元件隔离绝缘膜在上述栅极构造附近的上述半导体衬底表面上延伸，除去在上述外围区域上形成的上述栅极构造，在上述外围区域的上述元件隔离绝缘膜间形成上述外围晶体管的栅极构造。