[发明专利]非易失性存储器元件的操作方法有效
| 申请号： | 02141289.8 | 申请日： | 2002-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1433064A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 黄志仁;陈辉煌;洪允锭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/8246;G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹,邵亚丽 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器元件的操作方法，此方法是在程序化n型通道非易失性存储器时，对控制栅极施加一正电压，对漏极施加一负电压，使源极浮置，并对衬底施加一负电压，以利用通道FN隧穿效应程序化此n型通道存储器。在擦除n型通道非易失性存储器时，则对控制栅极施加一负电压，对漏极施加一正电压，使源极浮置，并对衬底施加一正电压，以利用通道FN隧穿效应擦除此n型通道存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 元件 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器元件的操作方法，该非易失性存储器具有一控制栅极、一源极、一漏极、以及一p阱，且该方法包括：在程序化该非易失性存储器元件时，对该控制栅极施加一第一正电压，对该漏极施加一第一负电压，将该源极浮置，并对该p阱施加一第二负电压，以利用通道FN隧穿效应程序化该非易失性存储器；以及在擦除该非易失性存储器元件时，对该控制栅极施加一第三负电压，对该漏极施加一第二正电压，将该源极浮置，并对该p阱施加一第三正电压，以利用通道FN隧穿效应擦除该非易失性存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
