[发明专利]ZnO/蓝宝石基片及其制造方法无效
| 申请号： | 02141355.X | 申请日： | 2002-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1399332A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 小池纯;家木英治 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/86 | 分类号： | H01L21/86;H01L41/00;H03H3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈剑华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供结晶性优良、没有裂缝的(1，1，，0)ZnO附晶定向生长膜在(0，1，，2)R面蓝宝石上附晶定向生长的ZnO/蓝宝石基片。该ZnO/蓝宝石基片通过使氧化锌膜在(0，1，，2)结晶面与基片表面平行的R面蓝宝石上附晶定向生长、使氧化锌(ZnO)的(1，1，，0)结晶面与该(0，1，，2)结晶面平行而得到，其特征在于，使上述ZnO的(1，1，，0)面的面间隔d为1.623≤d≤1.627。 | ||
| 搜索关键词： | zno 蓝宝石 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.ZnO/蓝宝石基片，它通过使氧化锌膜在(0，1，1，2)结晶面与基片表面平行的R面蓝宝石上附晶定向生长、使氧化锌(ZnO)的(1，1，2，0)结晶面与上述(0，1，1，2)结晶面平行而得到，其特征在于，上述ZnO的(1，1，2，0)的面间隔d为1.623≤d≤1.627。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
