[发明专利]利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法有效
| 申请号： | 02141383.5 | 申请日： | 2002-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1467303A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林辉巨 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科学工业园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法，于一等离子体化学气相沉积腔体中，以等离子体辅助化学反应，在基板上形成薄膜。然后，在取出基板后将清洁气体导入腔体中，以去除腔体内的附着物。随后，在下一批基板置入腔体前施行一预沉积制作工艺，以隔绝清洁过程的污染物。然后，施行一放电等离子体制作工艺，以降低预沉积薄膜表面累积电荷的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子体 化学 沉积 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法，适于在放置于一腔体内的一基板上沉积一薄膜，其特征在于：其步骤包括：a.施行一等离子体化学气相沉积，以于该基板上形成该薄膜；b.将该基板从该腔体内取出；c.进行一清洁制作工艺；d.进行一预沉积制作工艺；e.施行一放电等离子体制作工艺；f.放入下一批基板；g.重复步骤a到f。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
