[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 02141456.4 | 申请日： | 2002-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1407632A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 浅野哲郎;小野田克明;中岛好史;村井成行;冨永久昭;平田耕一;榊原干人;石原秀俊 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/328 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n+型离子注入区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。由于可使电极间距离接近，可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基结区域时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：化合物半导体基板；设在该基板上的平坦的一导电型外延层；穿透所述外延层而设置的一导电型高浓度离子注入区域；第一电极，其在所述高浓度离子注入区域形成欧姆结；第二电极，其与所述外延层形成肖特基结且成为电极的取出部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02141456.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于对燃料尤其是燃油进行重整的方法
- 下一篇：自动电梯目的地呼唤作业
- 同类专利
- 专利分类
