[发明专利]用于使电阻性阵列中信噪比最大化的方法和结构有效
| 申请号： | 02141490.4 | 申请日： | 2002-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1407557A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | L·T·特兰 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C5/02;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生,张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种使电阻性阵列中信噪比最大化的方法，包括在行和列的矩阵(40)中将多个存储单元(42)彼此隔开，对每个存储单元(42)选择一个结电阻(R)；将每个行导线连接在行(44)中的存储单元(42)之间，并在存储单元(42)之间选择一个行单位线电阻(rc)；将每个列导线连接在列(46)中的存储单元(42)之间并在存储单元(42)之间选择一个列单位线电阻(rc)；将该存储单元结电阻(R)与行和列单位线电阻(rc)的值相关，以便增大信噪比。还公开了一种使信噪比最大化的电阻性随机存取存储器阵列(40)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电阻 阵列 中信 最大化 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种设计随机存取存储器(RAM)阵列(80)的方法，该阵列有电阻元件(rc，R)，用于为阵列保持20分贝或更大的信噪比，该方法包含：(a)在一个行和列的矩阵(40)中将多个存储单元(42)安排得互相隔离，每个存储单元被选择得有一个在0.25兆欧与3.60兆欧之间的结电阻值(R)。(b)安排多个导电行线(44)，每个行线在一行(44)中的存储单元(42)之间连接并被选择得在存储单元(42)之间有一个基本上在0.0欧姆至0.38欧姆之间的行单位线电阻(rc)值。(c)安排多个导电列线(46)，每个列线在一列(46)中的存储单元(42)之间连接并被选择得在存储单元(42)之间有一个基本上在0.0欧姆至0.38欧姆之间的列单位线电阻(rc)值。(d)将存储单元结电阻(R)的值与行和列单位线电阻(rc)的值相关，以便在电阻存储器阵列(40)中有一个20分贝或更大的信噪比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普公司，未经惠普公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02141490.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：吸持基体的方法和设备
- 下一篇：用于压制工件的方法和设备
