[发明专利]避免锐角的浅沟道隔离制造方法

摘要

本发明涉及一种避免锐角的浅沟道隔离制造方法，包括下列步骤。首先，在一半导体基底上依序形成一氮氧化硅(SiON)层与一遮蔽层。定义遮蔽层与氮氧化硅层以形成一开口，露出欲形成浅沟道隔离区的基底区域。接着，在氮氧化硅层和遮蔽层的侧壁上形成一间隙壁(spacer)。以间隙壁和遮蔽层为罩幕，在半导体基底内形成一浅沟道。接着，形成一衬垫氧化层于浅沟道表面，使得衬垫氧化层在接近氮氧化硅层的处形成鸟嘴形状。接着，于沟道中填入一隔离氧化层。最后，去除遮蔽层与氮氧化硅层。本发明可形成短而厚的鸟嘴构造以及圆化的沟道顶角。因此，隧穿氧化层的厚度均匀，可维持完整性。电场不会集中在沟道顶角，而可避免寄生晶体管和漏电。

主权项

1、一种避免锐角的浅沟道隔离制造方法，其特征在于，包括下列步骤：依序形成一氮氧化硅(SiON)层与一遮蔽层于一半导体基底上；定义该氮氧化硅层与该遮蔽层以形成一开口，露出欲形成浅沟道隔离区的基底区域；在氮氧化硅层和遮蔽层的侧壁上形成一间隙壁(spacer)；以该间隙壁和遮蔽层为罩幕，在该半导体基底内形成一浅沟道；形成一衬垫氧化层于该浅沟道表面，使得该衬垫氧化层在接近该氮氧化硅层的处形成鸟嘴形状；于该沟道中填入一隔离氧化层；以及去除该遮蔽层与该氮氧化硅层。