[发明专利]介电体谐振装置、介电体滤波器和介电体双工器无效
| 申请号： | 02141537.4 | 申请日： | 2002-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN1405922A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 须磨利隆;田口博幸;中口昌久 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋电子部品株式会社 |
| 主分类号： | H01P7/00 | 分类号： | H01P7/00;H01P1/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 构成本发明的介电体谐振装置的同轴介电体谐振器(2)具有开设贯通孔(22)的介电体块(21)；在介电体块(21)的外周面上形成的外导体层(24)；在介电体块(21)的上述贯通孔(22)的内周面上形成的内导体层(23)；在介电体块(21)的贯通孔(22)的开口一方端面上形成的使外导体层(24)和内导体层(23)彼此短路的短路导体层(25)；在介电体块(21)的外周面上和上述外导体层(24)电气分离后形成的分离导体层(3)。分离导体层(3)通过开关接地，通过开关切换改变同轴介电体谐振器(2)的电容，改变谐振频率。 | ||
| 搜索关键词： | 介电体 谐振 装置 滤波器 双工器 | ||
【主权项】：
1.一种具有同轴介电体谐振器(2)的介电体谐振装置，该同轴介电体谐振器(2)具有：开设贯通孔(22)的介电体块(21)；在介电体块(21)的外周面上形成的外导体层(24)；在介电体块(21)的上述贯通孔(22)的内周面上形成的内导体层(23)；在介电体块(21)的贯通孔(22)的开口一方端面上形成的使外导体层(24)和内导体层(23)彼此短路的短路导体层(25)；在介电体块(21)的外周面上和上述外导体层(24)电气分离后形成的分离导体层(3)，开关SW连接该同轴介电体谐振器(2)的分离导体层(3)，通过该开关SW的切换，使外导体层(24)和内导体层(23)之间形成的电容C与分离导体层(3)和内导体层(23)之间形成的电容C′连接或断开，由此改变同轴介电体谐振器(2)的谐振频率。
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