[发明专利]用于抑制含水体系中的金属腐蚀的方法无效
申请号: | 02141603.6 | 申请日: | 2002-09-02 |
公开(公告)号: | CN1407058A | 公开(公告)日: | 2003-04-02 |
发明(设计)人: | T·高什;W·M·汉恩;B·魏恩斯坦恩 | 申请(专利权)人: | 罗姆和哈斯公司 |
主分类号: | C09K15/30 | 分类号: | C09K15/30;C23F11/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 邓毅 |
地址: | 美国宾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种新的引入侧杂环基团的聚合物腐蚀抑制组合物的应用。该聚合物在金属元件上形成对含水体系的保护隔绝层并在宽pH范围内在金属表面上保持有效。另外,该聚合物对氧化杀虫剂有耐性,且在重复或长期暴露于腐蚀剂时基本上不透过。 | ||
搜索关键词: | 用于 抑制 含水 体系 中的 金属腐蚀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于抑制与含水体系接触的金属元件的腐蚀的方法,包括,向该体系中加入有效量的一种或多种聚合物的步骤,该聚合物包含:i)至少一种选自具有结构式Ia的官能化酰亚胺组分,具有结构式Ib的官能化酰胺组分以及结构式Ia和Ib的组合的重复单元:结构式Ia 结构式Ib其中n是0或1;R和R1独立地选自氢,甲基,和C2-C4烷基;R2选自C1-C8支化和直链烷基基团,C2-C8支化和直链链烯基基团,C3-C8环烷基基团,C6-C10芳族基团,C2-C4氧化烯基团和聚(C2-C4氧化烯)m,其中m=2-20;侧杂环包括具有一个或多个选自N,O,S和其组合的杂原子的不饱和或芳族杂环,所述侧杂环通过作为杂环一部分的杂原子或杂环的碳原子化学键接到R2上;R3选自氢,甲基,乙基,C3-C18支化和直链烷基和链烯基基团;和R4选自H,CH3,C2H5,C6H5和C3-C18支化和直链烷基和C3-C18链烯基基团;ii)至少一种选自马来酸酐,衣康酸酐,环己-4-烯基四氢邻苯二甲酸酐,和具有结构式II的单体的烯键式不饱和单体组分:结构式IICH(R5)=C(R6)(R7)其中R5选自氢,苯基,甲基,乙基,C3-C18支化和直链烷基和链烯基基团;R6独立地选自氢,甲基,乙基,苯基,C3-C18支化和直链烷基和链烯基基团,OR8和CH2OR8基团,其中R8是乙酸根,缩水甘油基,甲基,乙基,C3-C18支化和直链烷基和链烯基基团,和具有结构式[CH2CH(Ra)O]mRb的基团,其中Ra是氢,甲基,乙基,和苯基,m是整数1-20且Rb独立地为氢,甲基,乙基,苯基和苄基;和R7独立地选自H,CH3,C2H5,CN,COR9基团,其中R9是OH,NH2,OR8基团,其中R8是前述的基团和NRcRd基团,其中Rc和Rd是相同的基团或不同的基团,是5-元或6-元环体系的一部分,氢,羟基甲基,甲氧基甲基,乙基和C3-C18支化和直链烷基和链烯基基团;和iii)任选的一个或多个端基,选自引发剂片断,链转移片断,溶剂片断和其组合。
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