[发明专利]生成掩膜数据、掩膜、记录介质的方法和制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供了一种生成掩膜数据、掩膜、以及记录介质的方法和制造半导体器件的方法，该方法应用于具有优良填充性的层间绝缘层的半导体器件的制造中，该层间绝缘层按照0.13μm设计规则，在相邻布线层的间隔中形成。本发明还提供了一种生成掩膜数据、掩膜、以及记录介质的方法和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括位于基板指定图案中的布线层和位于基板上指定图案中的应力减轻层。生成掩膜数据的方法包括通过施加一个正(+)调整量来调整布线层图案(120)的大小，用以形成调整大小后的图案(130)的步骤，删除调整大小后相互重叠的那些图案(130)的步骤，和调整大小后的图案外面形成具有特定宽度的应力减轻层图案的步骤。

主权项

1.一种生成掩膜数据的方法，所述方法用于制造半导体器件，所述半导体器件包括按指定图案配置在基板上的布线层和按定图案配置在所述基板上的应力减轻层，所述方法包括以下步骤：通过施加一个正(+)调整量来调整布线层图案的大小，用以形成调整后的图案；在所述调整后的图案中删除相互重叠的调整后的图案；以及在所述调整后的图案外面形成具有特定宽度的应力减轻层图案。