[发明专利]波浪状电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 02141628.1 | 申请日： | 2002-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1481012A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘光文;黄仲仁 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种波浪状电容器及其制造方法，能够形成具有波浪状轮廓的复层结构的电容器。该方法包括：图案化该底导体层以至少形成两个相邻沟渠；形成一复层结构，该复层结构共形于该些沟渠且从相邻结构隔离，该复层结构至少包括一第一电极板层、设置于该第一电极板上的一绝缘层、以及设置于该绝缘层上的一第二电极板层，其中该第一电极板层的至少一部份与该底导体层电性连接；于该芯片上形成多个内连线，该些内连线的至少其中之一连接该第二电极板层。 | ||
| 搜索关键词： | 波浪 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种波浪状电容器的制造方法，该波浪状电容器设置于一底导体层上，该底导体层设置于一芯片的一底绝缘层上，其特征是，该方法包括下列步骤：图案化该底导体层以至少形成两个相邻沟渠；形成一复层结构，该复层结构共形于该些沟渠且从相邻结构隔离，该复层结构至少包括一第一电极板层、设置于该第一电极板上的一绝缘层、以及设置于该绝缘层上的一第二电极板层，其中该第一电极板层的至少一部份与该底导体层电性连接；以及于该芯片上形成多个内连线，该些内连线的至少其中之一连接该第二电极板层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
