[发明专利]半导体光电子器件和混合楔型波导模斑转换器集成器件无效
| 申请号： | 02141653.2 | 申请日： | 2002-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1482492A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 邱伟彬;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02B6/26;H04B10/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体光电子器件和混合楔型波导模斑转换器集成器件，该器件包括：一n型重掺杂磷化铟衬底；一负电极，该负电极制作在衬底下方；一n型掺杂磷化铟缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一有源器件，该有源器件制作在缓冲层上；一p型磷化铟盖层，该盖层制作在有源器件上；一p型重掺杂磷化铟接触层，该接触层制作在盖层上；一模斑转换器，该转换器制作在有源器件的入光端和输出端；一二氧化硅/二氧化钛增透膜，该增透膜制作在器件的输入和输出端；一正电极，该正电极制作在接触层的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电子 器件 混合 波导 转换器 集成 | ||
【主权项】：
1、一种半导体光电子器件和混合楔型波导模斑转换器集成器件，其特征在于，该器件包括：一n型重掺杂磷化铟衬底；一负电极，该负电极制作在衬底下方；一n型掺杂磷化铟缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一有源器件，该有源器件制作在缓冲层上；一p型磷化铟盖层，该盖层制作在有源器件上；一p型重掺杂磷化铟接触层，该接触层制作在盖层上；一模斑转换器，该转换器制作在有源器件的入光端和输出端；一二氧化硅/二氧化钛增透膜，该增透膜制作在器件的输入和输出端；一正电极，该正电极制作在接触层的上方。
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