[发明专利]氮化镓半导体激光器无效
| 申请号： | 02141658.3 | 申请日： | 2002-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1405937A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 仁道正明;仓本大;山口敦史 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供可以发射接近圆形的基本横模的激光且工作电流及元件电阻低的氮化镓半导体激光器结构。在GaN构成的基底层的上部，按下部包覆层2、有源层4、上部包覆层7及电极的顺序层积，在有源层与下部包覆层之间和/或前述有源层与上部包覆层之间设置一个或两个以上的光导层1，以380nm以上420nm以下的波长振荡的氮化镓半导体激光器，在设光导层的总层厚为h(μm)，下部包覆层2的层厚为d1(μm)，具有与下部包覆层2的平均折射率相同折射率的AlGaN体结晶的Al组成为x，具有与上部包覆层7的平均折射率相同折射率的AlGaN体结晶的Al组成为y时，满足如下条件0.15≤h、|x－y|≤0.02、0.02≤x≤0.06及0.34x－0.49≤d1+2h。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓半导体激光器，在由GaN构成的基底层的上部，按下部包覆层、有源层、上部包覆层及电极的顺序层积，在有源层与下部包覆层之间和/或前述有源层与上部包覆层之间设置一个或两个以上的光导层，以380nm以上420nm以下的波长振荡，其特征在于，设光导层的总层厚为h(μm)，下部包覆层的层厚为d1(μm)，具有与下部包覆层的平均折射率相同折射率的AlGaN体结晶的Al组成为x，具有与上部包覆层的平均折射率相同折射率的AlGaN体结晶的Al组成为y时满足条件0.15≤h|x-y|≤0.020.02≤x≤0.06及0.34x-0.49≤d1+2h。
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