[发明专利]在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤

摘要

在本发明中，通过提供特别的阵列端结构及其制造方法，扩散位线的三抗阻层、控制栅极及字栅极多晶硅(其是在控制栅极多晶硅可在扩散位线的顶部上运行处)，可非常有效地只与三层金属线联结，且保持最小金属间隔，联结方法亦可包含有一位扩散选择晶体管及/或一控制栅极线选择晶体管线，选择晶体管的目的可降低位线或控制栅极线的整体电容，或限制在编程及/或清除期间单元的接地次阵列收到的干扰情况。

主权项

1.一种在一MONOS存储器阵列中联结三抗阻层到三传导层的方法，包括：提供一MONOS存储器阵列，其具有该三抗阻层，其中该三抗阻层垂直地叠成为一底部、中间、及顶部的抗阻层，且其中该底部及中间抗阻层相互平行运行，且其中该顶部抗阻层与该底部及中间抗阻层直角地运行；以一各自的顶部传导层而周期地接触每个该底部及中间抗阻层，其中该接触步骤为该联结步骤，其中该接触步骤包括有；周期地连接该中间抗阻层到一覆盖在该顶部抗阻层上的底部传导层；切断该中间抗阻层，以暴露出该底部抗阻层；从该暴露出的底部抗阻层到一顶部传导层建立一接触窗/贯穿孔叠层；通过接触该中间抗阻层的该末端，而连接该中间抗阻层的切断端到一中间传导层，其中该中间传导层覆盖该底部传导层上且位于该顶部传导层下，且其中该中间传导层环绕该接触窗/贯穿孔叠层；及连接该顶部抗阻层到该中间传导层。