[发明专利]无籽晶无偏压金刚石准单晶膜的沉积方法无效
| 申请号： | 02141713.X | 申请日： | 2002-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1477240A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 常明;曲长庆;朱宁;宁延一;吴小国;杨保和;陈希明 | 申请（专利权）人： | 天津理工学院 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C23C16/27 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300191天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 无籽晶无偏压金刚石准单晶膜的沉积方法，它属于一种用于半导体材料与器件的金刚石准单晶膜的沉积方法。在以氢气和甲烷或丙酮为反应气体，用灯丝CVD法在金刚石衬底上进行金刚石膜沉积过程中，不是采用宏观缺陷成核法和偏压成核法，而是首先采用在衬底表面预先制备非晶态碳过度层的工艺，然后再进行形核和生长工艺。结果得到平整光滑、结晶度好的<100>取向金刚石准单晶膜。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 偏压 金刚石 准单晶膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.无籽晶无偏压金刚石准单晶膜的沉积方法，本发明的特征是在沉积金刚石膜时不使用籽晶和不采用偏压的形核方法，同时也不采用任何机械研磨损坏衬底表面的处理，而是在光滑平面(包括镜面)的硅等衬底上直接形核并生长金刚石准单晶膜的方法。
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