[发明专利]研磨用组合物及用它的研磨方法有效
| 申请号： | 02141814.4 | 申请日： | 2002-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1407050A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 大野晃司;酒井谦儿;伊奈克芳 | 申请（专利权）人： | 不二见株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/304;B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈剑华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种研磨用组合物，可以同等研磨速度研磨钨膜和绝缘膜，其结果是创造出平坦性良好的，无研磨损伤，不受铁离子等杂物污染的研磨面。该研磨用组合物含有(a)二氧化硅、(b)过碘酸、(c)pH调整剂、和(d)水，研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，及使用该研磨用组合物的研磨方法。该研磨用组合物是适宜半导体装置的精加工研磨。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨用组合物，用于研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，其特征是，含有以下(a)～(d)成分(a)二氧化硅(b)过碘酸(c)选自氨、氢氧化钾、氢氧化钠、过碘酸铵、过碘酸钾和过碘酸钠的至少1种pH调整剂(d)水。
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