[发明专利]具有静电放电保护电路的半导体器件无效
| 申请号： | 02141822.5 | 申请日： | 2002-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1404149A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 平田守央 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L23/60;H01L29/788;H03K17/08;H03K19/003 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有静电放电保护电路的半导体器件，包括浮栅MOSFET，该浮栅MOSFET具有连接在I/O线和源线或地线之间的源－漏通路、连接到I/O线的控制栅、以及连接到源线或地线的浮栅。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 静电 放电 保护 电路 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的内部电路，以及保护所述内部电路不受静电放电击穿的保护电路，所述保护电路包括至少一个第一浮栅MOSFET，所述第一浮栅MOSFET具有连接在I/O线和恒定电位线之间的源-漏通路、连接到所述I/O线的控制栅、连接到所述恒定电位线或第一线的浮栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
