[发明专利]使用原子层沉积在基片上沉积高介电常数材料的方法无效
| 申请号： | 02141826.8 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1396638A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | Y·奥诺;庄维伟;R·索兰基 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王其灏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供形成氧化铪、氧化锆以及氧化铪和氧化锆的叠层制品的方法。这些方法利用引入硝酸盐基前体，例如硝酸铪和硝酸锆的原子层沉积方法。使用这些硝酸盐基前体特别适于在氢钝化的硅表面上形成高介电常数的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 原子 沉积 基片上 介电常数 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基片上形成高-k介电薄膜的方法，包括以下步骤：a)在原子层沉积室内提供半导体基片；b)在原子层沉积范围内将基片加热到一定温度；c)向沉积室中引入无水硝酸铪；d)用氮气或惰性气体清洗沉积室；和e)向沉积室中引入含水气体，从而沉积单层氧化铪。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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