[发明专利]高抗辐射的六角形栅极的快闪存储单元

摘要

一种高抗辐射的六角形栅极的快闪存储单元，包括基底、源极区、漏极区以与栅极结构。漏极区与源极区之间形成信道区。栅极结构邻接于源极区与漏极区之间，其中栅极结构具有氧化物－氮化物－氧化物层，其中沿着与信道垂直方向上，栅极结构的幅度从源极区逐渐增加至预定位置后，再往漏极区逐渐减少。当快闪存储单元受到辐射照射时，产生的电子电洞对会入射至该基底中，而不会入射到氮化物层。当编码该快闪存储单元，靠近源极区的一部分栅极结构做为等效源极区，使等效源极区的大小大于漏极区，以防止第二位效应。

主权项

1、一种高抗辐射的六角形栅极的快闪存储单元，其特征在于：包括：一基底；一源极区，位于该基底中；一漏极区，位于该基底中；一栅极结构，邻接于该源极区与该漏极区之间，其中该栅极结构包括一氧化物-氮化物-氧化物层与一控制栅层，依序堆栈于该基底上，且该栅极结构的上视剖面大致为一六角形，其中当该快闪存储单元受到辐射照射时，产生的电子电洞对会入射至该基底中。