[发明专利]介层窗的制造方法无效
| 申请号： | 02141853.5 | 申请日： | 2002-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1477694A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 郑培仁;李宗晔 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种介层窗的制造方法，先在具有金属层的基底上形成一层介电层覆盖于金属层上。接着，利用微影与蚀刻工艺图案化介电层，直到暴露出金属层顶部，以形成介层窗开口。接着，于介层窗开口表面形成一层薄氮化钛层覆盖金属层，再于介层窗开口表面形成一钛/氮化钛阻障层。然后，于介层窗开口中填入一层导体层，以形成一介层窗插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 介层窗 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介层窗的制造方法，其特征是，该方法包括：在具有一金属层的一基底上形成一介电层覆盖该金属层；利用微影与蚀刻工艺图案化该介电层，直到暴露出该金属层顶部，以形成一介层窗开口；在该介层窗开口表面依序覆盖一薄氮化钛层以及一钛/氮化钛阻障层；以及于该介层窗开口中填入一导体层，以形成一介层窗插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
