[发明专利]无刮伤化学机械研磨工艺有效
| 申请号： | 02141875.6 | 申请日： | 2002-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1479351A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 刘裕腾 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种无刮伤化学机械研磨工艺，使用含有二氧化硅研磨粒的研磨剂研磨基底上的待研磨层，并且于接近研磨步骤完成之前加入可缩小研磨粒的溶液，以避免晶片表面被刮伤。 | ||
| 搜索关键词： | 无刮伤 化学 机械 研磨 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种无刮伤化学机械研磨工艺，其特征是，该工艺包括：提供待研磨的一晶片；将该晶片置入一化学机械研磨机台；利用该化学机械研磨机台研磨该晶片，其中研磨该晶片的全部时间为一第一时间；以及于开始研磨该晶片后的一第二时间加入一氢氧基溶液，其中该第二时间短于该第一时间。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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