[发明专利]湿式处理用喷嘴，湿式处理装置及湿式处理方法无效
| 申请号： | 02141884.5 | 申请日： | 2002-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1404107A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 三森健一;芳贺宣明;小野昭一 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B05B1/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 郭煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在湿式处理过程中，即使在处理区域内产生不存在处理液的区域的情况下，也可以防止超声波振子的破损。在具有将对被处理物W进行湿式处理用的处理液2向被处理物W的被处理面W1供应的导入开口部21b，将湿式处理后的排出液2从被处理面W1排出的排出口部22b的湿式处理用喷嘴中，配备有向被处理面W1上的处理液2赋予超声波振动用的超声波振子48，连接该超声波振子48的振动部46，振动部46设置在超声波振子48的至少被处理物W侧上，被处理物W侧的振动部46的厚度尺寸T与在振动部46处的超声波振动的波长λ的关系被设定为T＝(n±0.1)·λ/2(其中n为2以上的整数)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 喷嘴 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种湿式处理用喷嘴，具有将对被处理物进行湿式处理用的处理液向前述被处理物的被处理面供应的导入开口部，将前述湿式处理后的前述处理液的排出液从前述被处理面排出的排出开口部，其特征为，所述喷嘴配备有将超声波振动赋予前述被处理面上的前述处理液用的超声波振子，与该超声波振子连接的振动部，前述振动部至少设置在前述超声波振子的前述被处理物侧，该被处理物侧的前述振动部的厚度尺寸T与该振动部处的前述超声波振动的波长λ的关系被设定为T＝(n±0.1)·λ/2(其中，n为2以上的整数)
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
