[发明专利]计算金属氧化物半导体场效应晶体管门限电压的方法无效
| 申请号： | 02141887.X | 申请日： | 2002-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1404119A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 北丸大辅;三浦道子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体理工学研究中心 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/772 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在空穴注入型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中提供的一种在沟道方向具有杂质浓度分布的门限电压模型。利用空穴在沟道方向渗透到基片的渗透长度以及空穴中最大杂质浓度作为物理参数，通过线性地近似沟道方向上的分布获得门限电压模型。考虑到通过利用具有不均匀分布的新门限条件经分析求解模型，可以精确地获得该门限电压。根据获得的模型，该门限电压可以预测并且可以用于电路设计。 | ||
| 搜索关键词： | 计算 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 门限 电压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于计算半导体器件中的空穴注入型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的门限电压的方法，其特征在于包括下列步骤：利用空穴在沟道方向渗透到基片的渗透长度以及空穴中最大杂质浓度作为参数获得一个近似的分布，以便线性地近似该基片内沟道方向杂质浓度的分布；以及根据获得的近似分布来预测门限电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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