[发明专利]抛光组合物有效
| 申请号： | 02142015.7 | 申请日： | 2002-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1407045A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 大岛良晓;荻原敏也 | 申请（专利权）人： | 花王株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种抛光组合物，它包含平均初级粒度为200纳米或更小的磨料、氧化剂、pK1为2或更小的酸和/或它的盐、和水，其中抛光组合物的酸值为20～0.2毫克KOH/克；一种减少基片上微小擦痕的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片；以及一种制造基片的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片。该抛光组合物适用于最后抛光记忆硬盘基片和抛光半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 组合 | ||
【主权项】：
1.一种抛光组合物，它包含平均初级粒度为200纳米或更小的磨料、氧化剂、pK1为2或更小的酸和/或它的盐、和水，其中该抛光组合物的酸值为20mgKOH/g或更小和0.2mgKOH/g或更高。
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