[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02142068.8 | 申请日： | 2002-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1411060A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 塚本和宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是，在备有接触层的半导体装置中，使接触电阻降低，同时抑制结漏电。该半导体装置包括在硅半导体衬底1上形成的导电层3；在导电层3的表层形成的硅化钴膜4、7；覆盖在硅半导体衬底1上的层间绝缘膜5；以及充填层间绝缘膜5的接触孔6、与硅化钴膜4进行电连接的势垒金属膜8和钨膜9，接触孔6的底部的硅化钴膜4、7的下表面的位置比接触孔6的外侧的硅化钴膜4的下表面的位置要低。可在接触孔6的底部确保必要膜厚的硅化钴膜，可使接触电阻降低，同时抑制结漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：具有：在半导体衬底上形成的第1杂质扩散层；在上述杂质扩散层的表层形成的第1低电阻膜；覆盖在上述半导体衬底上的绝缘膜；以及充填上述绝缘膜的第1开口，与上述低电阻膜进行电连接的第1导电膜，在上述第1开口的底部的上述第1低电阻膜的下表面的位置低于上述第1开口的外侧的上述第1低电阻膜的下表面的位置。
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