[发明专利]凹槽平面双栅结构MOS器件及制造方法

摘要

本发明一种凹槽平面双栅结构MOS器件及制造方法，该器件包括：一衬底；一氧化硅层，该氧化硅层淀积在衬底上，使得整个器件与衬底相隔离；两个栅电极形成在氧化硅层，该两个栅电极之间形成有一沟道；源电极、漏电极形成在上面的一栅电极两侧，并且高出沟道的表面。

主权项

1、一种凹槽平面双栅结构MOS器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：首先在衬底上进行场氧化，然后分别淀积多层介质；步骤2：光刻第一层版，刻掉最上面三层，露出氮化硅层；步骤3：再淀积一层氮化硅，与下层氮化硅相连，以保证对以后掏空层的支持；步骤4：然后进行第二次光刻，采用电子束曝光；步骤5：薄层氧化层的淀积，5-6nm的氧化层将氮化硅线条全部包上；步骤6：进行第三次光刻形成籽晶窗口；步骤7：淀积非晶硅层，穿过假栅线条中的掏空层，形成薄层沟道形状；步骤8：进行金属诱导横向再结晶制备大晶粒多晶硅，以使器件完全制作在一个晶粒上；步骤9：对多晶硅层进行平坦化，露出氮化硅假栅；步骤10：进行第五次光刻，刻出源漏区以使器件隔离，可以将场区上的多晶硅全部去除；步骤11：氧化15nm，进行阱注入并推进，煮掉氮化硅并漂去氧化硅，使沟道硅桥悬空；步骤12：阈值调整，栅氧化，淀积多晶硅并进行第六次光刻，刻蚀形成多晶硅栅电极；步骤13：做一次侧墙，注入形成N-源漏区，再作第二次侧墙注入形成N+源漏区； 步骤14：低温氧化，刻孔，溅射四层金属，完成器件制备。