[发明专利]改善硅磊晶层中晶格缺陷的半导体组件制造方法无效
| 申请号： | 02142169.2 | 申请日： | 2002-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1479356A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 高荣正 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/283;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱黎光 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改善硅磊晶层中晶格缺陷的半导体组件制造方法，其是在一半导体基中形成隔离区域、栅极结构、源/漏极的轻掺杂区域、栅极间隙壁及源/漏极的重掺杂区域，并在硅磊晶层形成之前，先进行一去除金属不纯物的热回火高温活化处理并清洗，完成后再于该栅极结构及源/漏极上成长硅磊晶层，以形成提升的源/漏极结构；最后进行自行对准金属硅化物的制造方法。本发明是可避免硅磊晶层于成长过程中产生晶格缺陷，并可降低组件的漏电流现象。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 硅磊晶层中 晶格 缺陷 半导体 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善硅磊晶层中晶格缺陷的半导体组件制造方法，其特征是包括下列步骤：提供一半导体基底，其内是形成有隔离区域；在该半导体基底上形成一栅极结构，包含一栅极氧化层及其上方的多晶硅层；以该栅极结构为屏蔽，进行一低浓度的离子布植，在该半导体基底内形成源/漏极的轻掺杂区域；于该栅极结构侧壁形成有栅极间隙壁；进行热回火处理，以重整该半导体基底表面的硅晶格并去除金属不纯物；进行一去除金属不纯物的清洗；在该栅极结构及该源/漏极上成长一硅磊晶层，以形成提升的源/漏极结构；以及以该栅极结构与栅极间隙壁为屏蔽，对该半导体基底进行一高浓度离子布植，以形成源/漏极的重掺杂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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