[发明专利]多重位闪存的参考电流产生电路有效
| 申请号： | 02142192.7 | 申请日： | 2002-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1479312A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 范左鸿;叶致锴;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多重位闪存的参考电流产生电路，是使用相同的一推升字符线电压，来施加于不同参考电流产生单元的参考存储单元的栅极，并以施加不同的基底电压于参考存储单元的基底，来达成所需不同准位的参考电流，故可有效改善参考电流随着温度及电源电压VCC的变化而有不同漂移的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 闪存 参考 电流 产生 电路 | ||
【主权项】：
1.一种参考电流产生电路，适用于一多重位闪存，包括多个参考电流产生单元，其特征是，每一该些参考电流产生单元包括：一负载，具有一第一连接端及一第二连接端，该第一连接端连接一工作电源；以及一参考存储单元，具有一基底、一栅极、一第一源/漏极及一第二源/漏极，该第一源/漏极连接该第二连接端，该第二源/漏极接地，该栅极连接一推升字符线电压，该基底连接一基底电压；其中，每一该些参考电流产生单元的该栅极连接至相同的一该推升字符线电压，而每一该些参考电流产生单元的该基底所连接的该基底电压，则依该些参考电流产生单元所需产生的参考电流的大小而不同。
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