[发明专利]一种形成浅沟槽隔离结构的方法无效
| 申请号： | 02142251.6 | 申请日： | 2002-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1479362A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 林平伟;郭国权;曾彦昌 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种形成浅沟槽隔离结构的方法。首先，提供一具有至少一沟槽的基底。接着，藉由低压化学气相沉积法或单一反应室化学气相沉积法在沟槽的表面顺应性形成一复晶硅层或非晶质硅层。然后，利用高温炉管氧化法将复晶硅层或非晶质硅层氧化而在沟槽表面形成一衬氧化硅层。最后，在沟槽内填入绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 沟槽 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于至少包括下列步骤：提供一基底，其上形成有一罩幕层；蚀刻该罩幕层以形成至少一开口并露出该基底表面；蚀刻该开口下方的基底，以在该基底中形成一沟槽；在该罩幕层上及该沟槽的表面顺应性形成一硅层；氧化该硅层以在该罩幕层上及该沟槽表面形成一衬氧化硅层；在该罩幕层上方形成一绝缘层并填满该沟槽；去除该罩幕层上方的该绝缘层及该衬氧化硅层；以及去除该罩幕层。
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