[发明专利]存储器件的结构及其制造方法

摘要

一种存储器件的结构及其制造方法，此结构包括一基底；复数条埋入式位线，配置在基底中；复数条字线，配置在部分基底上；一栅氧化层，配置在基底与字线之间；一顶盖层，配置在字线的顶部；一间隙壁，配置在字线的侧壁；复数个沟渠式导线，分别配置在埋入式位线上方的顶盖层上；一介电层，配置在两相邻的字线之间，以及两相邻的沟渠式导线之间；以及复数个自行对准接触窗，每一自行对准接触窗配置在每一沟渠式导线底下的其中二相邻的字线之间，用以使沟渠式导线与埋入式位线彼此电性连接。

主权项

1、一种存储器件的结构，该存储器件由复数个呈数组排列的存储单元所构成，其特征在于：该结构包括：一基底；复数条埋入式位线，配置在该基底中；复数条字线，以垂直于该些埋入式位线的方向配置在部分该基底上；一栅氧化层，配置在该基底与该些字线之间；一顶盖层，配置在该些字线的顶部；一间隙壁，配置在该些字线的侧壁；复数个沟渠式导线，分别配置在对应于该些埋入式位线上方的该顶盖层上；一介电层，配置在两相邻的该些字线之间，以及两相邻的该些沟渠式导线之间；复数个自行对准接触窗，每一该些自行对准接触窗配置在每一该些沟渠式导线底下的其中二相邻的该些字线之间，使每一该些沟渠式导线与每一该些埋入式位线彼此电性连接。