[发明专利]闪存器件的平坦化方法

摘要

一种闪存器件的平坦化方法，于基底上先形成一层穿隧氧化层，再于穿隧氧化层上形成一浮栅极，并于浮栅极上形成一顶盖层，其中穿隧氧化层、浮栅极以及顶盖层组成一堆栈结构。然后，假使顶盖层是氮化层，则需在堆栈结构上先沉积一层氧化层，再于基底上形成一高密度等离子体磷硅玻璃；如果顶盖层是氧化层，则直接于基底上形成一高密度等离子体氮化层，以覆盖堆栈结构。接着，去除部分高密度等离子体层，以暴露出顶盖层的顶边。最后，去除顶盖层，而位于顶盖层上的部分沉积层也会同时被去除。

主权项

1、一种闪存器件的平坦化方法，其特征在于：包括：于一基底上形成一穿隧氧化层；于该穿隧氧化层上形成一浮栅极；于该浮栅极上形成一顶盖层，其中该穿隧氧化层、该浮栅极以及该顶盖层组成一堆栈结构；于该基底上沉积一氧化层；于该基底上形成一高密度等离子体磷硅玻璃，以覆盖该堆栈结构；去除部分该高密度等离子体磷硅玻璃与该氧化层，以暴露出该顶盖层的顶边；去除该顶盖层，其中位于该顶盖层上的部分该高密度等离子体磷硅玻璃与部分该氧化层被同时去除。