[发明专利]掩模及其制造方法、场致发光装置及其制造方法以及电子机器有效
| 申请号： | 02142498.5 | 申请日： | 2002-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1431851A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 四谷真一 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H05B33/12;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种掩模，具有由表面、背面是镜面指数{110}面构成的单晶衬底10。在单晶衬底10上形成多个贯通孔18。各贯通孔18的开口的形状是各边与用{111}表示的组的面中某一面平行的多边形。各贯通孔18的壁面是{111}面。掩模的制造方法为按照所述贯通孔18的形状，在耐蚀刻膜上形成开口，蚀刻单晶衬底10。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 制造 方法 发光 装置 以及 电子 机器 | ||
【主权项】：
1.一种掩模的制造方法，其中，在单晶衬底中，在用镜面指数的{110}表示的表面上，形成了带多个开口的耐蚀刻膜，所述多个开口是各边与用{111}表示的组的面中某一面平行的多边形；通过蚀刻，在所述开口内，在所述单晶衬底上形成多个贯通孔；所述蚀刻具有晶面取向依存性，即，对于{111}面的蚀刻速度比对{100}面和{110}面的蚀刻速度慢。
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