[发明专利]高度湿敏电子器件元件及其制造方法有效
| 申请号： | 02142507.8 | 申请日： | 2002-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1494132A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | M·L·波罗森;J·施密滕多尔夫;J·P·塞尔比基 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/12;H01L23/28;H01L23/00;H01L33/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高度湿敏电子器件元件及其制造方法，该元件包括封装外壳，外壳将所有高度湿敏电子器件封装在所述基底上，并具有密封材料，其位于所述基底和所述封装外壳之间，从而在所述基底和所述封装外壳之间围绕每个高度湿敏电子器件或围绕成组的多个高度湿敏电子器件形成完全密封。 | ||
| 搜索关键词： | 高度 电子器件 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件，该元件包括：a)含有两个或多个高度湿敏电子器件的基底；b)封装外壳，其将所有高度湿敏电子器件封装在所述基底上；c)密封材料，其位于所述基底和所述封装外壳之间，以在所述基底和所述封装外壳之间围绕每个高度湿敏电子器件或围绕成组的多个高度湿敏电子器件形成完全密封。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司，未经伊斯曼柯达公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02142507.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：结构强化的开窗型半导体封装件
- 下一篇：一种防止翘曲现象发生的基板
