[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 02142575.2 | 申请日： | 2002-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1427471A | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 岩崎俊宽;木村通孝;若宫敬一郎;畑中康道 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生,王忠忠 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了在安装尺寸大的半导体芯片时确实进行超声波热压接，本发明的半导体器件包括：半导体芯片1；电路基板5，与半导体芯片1相对配置，通过连接用导体4与半导体芯片1电气连接；电极盘2和端子电极6，分别形成在半导体芯片1与电路基板5相对的对置面，与连接用导体4键合；将所述对置面之间的间隙埋置所形成的非导电性树脂7；预定形状的导电性伪图形10，形成在半导体芯片1或电路基板5的对置面。可使对置面之间的温度分布均匀，能够使非导电性树脂7的粘度和温度均匀化，并且抑制超声波的衰减。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体芯片；电子部件，与所述半导体芯片相对配置，通过连接用导体与所述半导体芯片电气连接；电极，分别形成在所述半导体芯片与所述电子部件相对的对置面，与所述连接用导体键合；将所述对置面之间的间隙埋置所形成的非导电性树脂；预定形状的导电性伪图形，形成在所述半导体芯片或所述电子部件的所述对置面。
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