[发明专利]高能体供给装置、结晶性膜的形成方法和薄膜电子装置的制造方法无效
| 申请号： | 02142620.1 | 申请日： | 1997-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1426086A | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 阿部裕幸;宫坂光敏 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种稳定地制造高质量的熔融结晶化膜的高能体供给装置，示出了结晶性膜的形成方法。本发明的熔融结晶化不污染高能体供给装置，并可控制结晶化膜表面的重组情况。同时通过反射能量体的再次利用来提高高能体的利用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 高能 供给 装置 结晶 形成 方法 薄膜 电子 制造 | ||
【主权项】：
1.一种结晶性膜的形成方法，该方法包括在基板上形成半导体薄膜的第一工序和对该半导体薄膜的至少表面层进行结晶化的第二工序，其特征在于：在该第二工序中，在包含含有该半导体薄膜的构成元素的气体的环境气氛下使该半导体薄膜的至少表面层熔融来进行结晶化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
