[发明专利]改善光学微影制程解析度的方法有效
| 申请号： | 02142631.7 | 申请日： | 2002-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1450408A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 林智勇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科 *** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种改善光学微影解析度的方法。本发明的方法包括在底材上形成一层被蚀刻的蚀刻层、一无机光阻层旋涂在被蚀刻的蚀刻层上以及原子层在无机光阻层上。接着，利用深紫外光通过照射到无机光阻层使得在无机光阻层形成产生酸分子。接下来，利用酸分子将原子层催化并且具有活性的氧原子进行原子层的氧化作用而形成氧化物。经氧化作用之后，可以得到氧化层图案且容易进行蚀刻步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 光学 微影制程 解析度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理光阻层的方法，其特征在于，至少包括：提供一无机光阻层在一底材上以及一原子层在该无机光阻层上，其中该无机光阻层是用于提供酸分子；照射一紫外光至该无机光阻层使得该无机光阻层形成多个酸分子；及利用具有活性的氧原子氧化位于照射区域上的该原子层以转化成氧化物在该原子层上。
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