[发明专利]检测半导体元件中位元线偏移的测试元件及测试方法有效
| 申请号： | 02142642.2 | 申请日： | 2002-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1484291A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 吴铁将;黄建章;丁裕伟;姜伯青 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于检测半导体元件中位元线与位元线接点的重叠是否产生偏移的测试元件及测试方法，该测试元件设置于切割道上，包括一第一、第二长条型位元线接点，各具有一外侧边以及两端；一第一、第二位元线，该第一位元线完全覆盖该第一长条型位元线接点，该第二位元线完全覆盖该第二长条型位元线接点，以及一第一至第四导电插塞，分别设置于该第一位元线两端上方，以及设置于该第二位元线两端上方，各与底下的该位元线接触；通过判断第一和第二导电插塞之间的第一电阻值与第三及第四导电插塞之间的第二电阻值，判断该测试元件中位元线与位元线接点的重叠是否产生偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 半导体 元件 位元 偏移 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测半导体元件中位元线与位元线接点的重叠是否产生偏移的测试元件，设置于切割道上，其特征在于，该测试元件包括：一主动区，设置于该切割道中；一第一、第二长条型位元线接点，平行设置于该主动区上，其长度小于该主动区的长度，各具有一外侧边以及两端；一第一、第二位元线，设置于主动区内，该第一位元线完全覆盖该第一长条型位元线接点，并具有一第一外侧边对齐于该第一长条型位元线接点的外侧边，该第二位元线完全覆盖该第二长条型位元线接点，并具有一第二外侧边对齐于该第二长条型位元线接点的外侧边；以及一第一至第四导电插塞，分别设置于该第一位元线两端上方，以及设置于该第二位元线两端上方，分别与底下的该位元线接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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